Caratterizzazione di sensori al silicio con guadagno ottimizzati per resistere a fluenze di 1E17 particelle/cm2 ​

Silicon sensors are affected by radiation damage at fluences above 1E16 neq/cm2. Particle radiation produces defects in the silicon lattice and influences the effective doping dose, shortening the the operating life of the sensor. During my thesis work I took care of the testing phase of innovative silicon sensors with gain optimized to withstand fluences of 1E17 neq/cm2 thanks to the implementation of a new compensated gain layer design.

I sensori al silicio sono particolarmente esposti a danni da radiazione quando le fluenze superano i 1E16 neq/cm2. La radiazione, infatti, induce difetti nel reticolo cristallino del silicio ed incide sulla concentrazione di drogaggio efficace, accorciando la vita operativa del sensore. Durante il mio lavoro di tesi triennale mi sono occupato della fase di test pre-irraggiamento di sensori al silicio innovativi con guadagno, ottimizzati per resistere a fluenze pari a 1E17 neq/cm2 grazie all'implementazione di un nuovo design compensato dello strato di guadagno.