Caratterizzazione di rivelatori al silicio innovativi

Questo lavoro è principalmente dedicato all'analisi dei Low Gain Avalanche Detectors, che rappresentano un nuovo concetto di rivelatori al silicio con moltiplicazione interna di carica. Lo studio di questi, fornisce indicazioni importanti sulla possibilità di controllare l'effetto della moltiplicazione, al fine di ottenere un'ottima efficienza di raccolta di carica. Per esaminare questi rivelatori al silicio innovativi, si è allestito un laboratorio in cui, attraverso l'utilizzo di diversi strumenti, è stato possibile procedere con le misure utili alla caratterizzazione vera e propria: in particolare, l'attenzione è rivolta all'analisi delle curve I-V, C-f, C-V e Q-V. Il primo capitolo, richiama le principali proprietà dei semiconduttori e del silicio. Il secondo capitolo illustra il principio di funzionamento dei rivelatori al silicio. Nel terzo capitolo, si introducono i Low Gain Avalanche Detectors e i principali processi fisici responsabili della moltiplicazione interna di carica. Infine nell'ultima parte del lavoro, si descrive il setup di laboratorio e si presentano i risultati ottenuti.