Characterization of Silicon samples implanted with Carbon and Silicon MeV ions using a confocal optical microscope. The objective is to observe the effects on the photoluminescence of the samples from different MeV ion implantation methods.

Caratterizzazione di campioni di Silicio impiantati con ioni Carbonio e Silicio MeV tramite microscopio ottico confocale. L'obiettivo è quello di osservare gli effetti sulla fotoluminescenza dei campioni dei diversi metodi di impiantazione con ioni MeV.

Caratterizzazione di emettitori quantistici in silicio impiantato con ioni MeV

CUCCUREDDU, MATTEO
2023/2024

Abstract

Caratterizzazione di campioni di Silicio impiantati con ioni Carbonio e Silicio MeV tramite microscopio ottico confocale. L'obiettivo è quello di osservare gli effetti sulla fotoluminescenza dei campioni dei diversi metodi di impiantazione con ioni MeV.
Characterization of quantum emitters in silicon implanted with MeV ions
Characterization of Silicon samples implanted with Carbon and Silicon MeV ions using a confocal optical microscope. The objective is to observe the effects on the photoluminescence of the samples from different MeV ion implantation methods.
Autorizzo consultazione esterna dell'elaborato
File in questo prodotto:
File Dimensione Formato  
Presentazione_tesi_Matteo_Cuccureddu.pdf

non disponibili

Dimensione 1.45 MB
Formato Adobe PDF
1.45 MB Adobe PDF

I documenti in UNITESI sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14240/6498