Il lavoro, suddiviso in due parti, descrive l'attività di stage e di tesi; la prima, incentrata sullo studio del funzionamento del prototipo di chip di lettura RD53A , a pixel, descrive i principali requisiti e le caratteristiche cui deve rispondere tale tecnologia. In particolare viene affrontata la descrizione della procedura di calibrazione del chip, volta all'individuazione di una soglia globale minima di lavoro del dispositivo; attraverso tale descrizione vengono toccati i principali test effettuati durante l'attività di stage. La seconda parte concerne l'analisi dei dati del test beam effettuato nel novembre 2019 presso il Desy di Amburgo; tale test beam è stato condotto con chip RD53A e sensori 3D di due diversi spessori attivi. L'analisi tratta quindi lo studio dell'efficienza, della dimensione dei cluster e del ToT dei sensori per i diversi spessori e studia la dipendenza di tali quantità dall'angolo di rotazione del detector, o dalla tensione di bias ad esso applicata.

Studio della risposta di sensori a pixel di silicio per l'upgrade dell'esperimento CMS

SOFIA, ISABELLA
2019/2020

Abstract

Il lavoro, suddiviso in due parti, descrive l'attività di stage e di tesi; la prima, incentrata sullo studio del funzionamento del prototipo di chip di lettura RD53A , a pixel, descrive i principali requisiti e le caratteristiche cui deve rispondere tale tecnologia. In particolare viene affrontata la descrizione della procedura di calibrazione del chip, volta all'individuazione di una soglia globale minima di lavoro del dispositivo; attraverso tale descrizione vengono toccati i principali test effettuati durante l'attività di stage. La seconda parte concerne l'analisi dei dati del test beam effettuato nel novembre 2019 presso il Desy di Amburgo; tale test beam è stato condotto con chip RD53A e sensori 3D di due diversi spessori attivi. L'analisi tratta quindi lo studio dell'efficienza, della dimensione dei cluster e del ToT dei sensori per i diversi spessori e studia la dipendenza di tali quantità dall'angolo di rotazione del detector, o dalla tensione di bias ad esso applicata.
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